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西数发布BiCS5闪存技术:112层堆栈 1.33Tb世界最高密度QLC

新闻 举个栗子 2个月前 (01-31) 79次浏览 0个评论 扫描二维码

西数公司今天正式宣布了新一代闪存技术 BiCS5,这是西数与铠侠(原来的东芝存储)联合开发的,在原有 96 层堆栈 BiCS4 基础上做到了 112 层堆栈,有 TLC 及QLC闪存两种类型,最高核心密度 1.33Tb,是目前存储密度最高的产品。

西数存储芯片技术和制造高级副总裁 Steve Paak 博士表示,在进入下一个十年的时候,一种新型的 3D 闪存对持续满足不断增长的数据容量及速率的需求至关重要,而 BiCS5 的成功研发体现了西数在闪存技术上的领导地位及路线图的强大执行力。

BiCS5 闪存是西数目前最先进、密度最高的 3D NAND 闪存,通过采用第二代多层存储孔、改进工艺及其他 3D NANDg 功能等手段显著提升了存储芯片的横向存储密度,再加上 112 层纵向堆栈,使得 BiCS5 与之前 96 层堆栈的 BiCS4 闪存技术有了明显提升,存储容量提升 40%,IO 性能提升了 50%,同时优化了成本。

西数 BiCS5 闪存主要有 TLC 及QLC闪存两种类型,初期会以 512Gb 核心的 TLC 开始量产,后续会提供更多容量选择,包括最高密度的 1.33Tb QLC闪存,预计 2020 年下半年开始商业化量产,主要生产工厂是日本三重县四日市及岩手县北上市的晶圆厂。

西数发布 BiCS5 闪存技术:112 层堆栈 1.33Tb 世界最高密度 QLC


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